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元件参数资料
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参数目录40375
> NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
型号:
NTJD1155LT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
NTJD1155LT1G PDF
产品目录绘图
MOSFET SOT-363 Pkg
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
400mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
SOT-363
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTJD1155LT1GOSTR
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